GaN-on-Si必定是LED未來發(fā)展的技術之一【無鉛回流焊】

近期LED設備市場中的MOCVD競爭激烈，除了業(yè)界兩大龍頭廠商德商Aixtron、美商Veeco之外，其實還有其他設備廠商的舞臺。以有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)設備來看，全球前3大MOCVD制造商分別為德商Aixtron、美商Veeco及日商大陽日酸。

2010年時，全球主要的MOCVD設備商市占率比較圖

LEDinside除了邀請到該公司旗下的大陽日酸EMC董事長Koh Matsumoto博士(代表取締役社長松本功)分享LED設備技術提升與LED產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況與趨勢外，也做了專訪，請他提供寶貴的業(yè)界經(jīng)驗。松本功博士專精于ETL的光敏程序的研究，致力于設計和生產(chǎn)MOVPE工具，并從事CS外延成長的研究以及反應器的開發(fā)等。

大陽日酸EMC株式會社代表取締役社長松本功博士(Koh Matsumoto)于臺北LEDforum 2011演講“使用創(chuàng)新的MOCVD工具，氮化鎵在藍寶石和矽基板來提高LED的產(chǎn)能 ”

LED生產(chǎn)技術提升: 藍寶石基板尺寸演進

松本功社長指出，目前臺系廠商與日系廠商多使用4吋藍寶石基板給LED使用，而中國大陸廠商則是使用2吋的藍寶石基板為主。隨著設備效率與LED人才技術日漸提升下，預估在明年4吋的藍寶石基板也將廣泛得受到LED廠商所重視。雖然6吋的藍寶石基板仍受限于目前的技術，以至于LED芯片生產(chǎn)的良率與破片率仍是目前仍須突破的瓶頸。

大陽日酸將于2012年發(fā)表最新的MOVPE機臺UR26K，以6寸基板來說，一次運作生產(chǎn)下從原先的6片產(chǎn)量，增加至10片，不僅使得每片晶圓片以倍數(shù)增加的芯片數(shù)量，成本也因此大幅下降。透過氮化鎵結構的組成，可成功的減少多重量子井的堆疊數(shù)層，單次操作時間也大幅降低，單天產(chǎn)出也因此大幅提升約一倍。

隨著設備技術不斷的提升下，松本功博士認為，每四年MOVPE的產(chǎn)能就實現(xiàn)一次倍數(shù)成長。此外，他認為GaN-on-Si必定是未來發(fā)展的技術之一，但由于目前技術上的困難度在于，由于矽基板和GaN的熱膨脹系數(shù)不同，在制程中會因為兩種材質(zhì)間的晶格錯位而產(chǎn)生應力，進而形成曲度(bow)和裂痕(crack)，過去一直未能在業(yè)界廣泛應用，但不否認的是，由于傳導性佳，產(chǎn)生的熱能少，有助于簡化產(chǎn)品上的散熱設計。

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